DRAM价格触底，国内厂商能否受益明年供需反转？

新浪财经2020-12-21 23:10:530阅

文/理逻曾雨丛（实习生）

DRAM去产能周期后下游多边动作引导市场供需结构调整，市场人士预测，2021年DRAM价格有望迎来上行。

DRAM全称为Dynamic Random Access Memory，即动态随机存取存储器，属于半导体存储器中的一种。DRAM产业受供需关系驱动，市场呈现明显的周期波动特性。从需求端看，下游中需求最大的三大领域分别是智能手机、服务器、电脑；从供给端看，DRAM位元供给的增长来源包括工艺进步带来的密度提升和产能扩张带来的投片量提升两部分，以前者为主。

2018年下半年起，随着需求端的智能手机市场下滑，同时供给端的三星等寡头厂商扩产，DRAM市场供过于求，此轮下行周期开始。DRAM的月平均销售价格自2018年下半年至2019年底一直呈现下降的趋势。

今年上半年，由于疫情带来的“宅经济”增长，全球对于DRAM的需求增加，DRAM价格也随之反弹；然而，7月份起，由于疫情后智慧型手机出货量不断下修，DRAM市场进入库存调整期，价格又一直延续下滑的趋势。据DRAMeXchange专家分析，总体来看，2020年DRAM市场仍呈现明显的供过于求的状态，这个比例约在3%以上。

那么，2021年DRAM市场能否迎来库存出清，需求带动的上行周期？国内玩家又能否能把握住相关机遇？

从供给端来看，虽然明年厂商资本支出增加，但由于制程提升的瓶颈，供给提升仍然有限。

受疫情带来的不确定因素影响，Q3季度起，DRAM市场需求和价格双双低迷，厂商因此不约而同调整供应、延缓投资至2021年。据相关消息，南亚科将砍掉今年超过31.8%的资本支出，缩减部分将延至2021年使用。IC Insights最新数据也显示，2020年三家寡头合计设施总投资将达125亿美元，相较于2019年的169亿美元减少26%。

此外，DRAM工艺推进放缓，制程提升的瓶颈导致供给提升有限。目前，三大DRAM原厂三星、美光、SK海力士等技术主要是从1Ynm全面向1Znm推进。先进制程都需要用到euv光刻机，DRAM发展到第四代1anm级，原厂将必须考虑EUV工艺。因此，动辄上亿美元的EUV光刻机将是下一代DRAM生产中的关键核心设备，ASML作为全球唯一EUV光刻机供应商，甚至引得三星掌门人李在镕亲自登门拜访。

据DRAMeXchange专家分析，受上游EUV光刻机供应的限制，DRAM后续产能扩张存在一定限制。国泰君安也认为，制程推进放缓直接导致DRAM综合位元供给增速下降。

从需求端来看，5G时代下需求结构正快速向着多样化转变，市场空间巨大。其中PC市场需求有限，智能手机需求和服务器的发展成为拉动游市场回暖的最强驱动力。

首先，智能手机未来仍是下游应用最大的市场，5G时代换机潮到来，未来需求有望实现销量和容量“双量齐增”。在过去十年里，DRAM产业受益于智能机快速发展增长迅速，但2018年开始，全球智能手机市场首次出现了下滑，出货量降幅为4%。

CAICT数据显示，11月国内5G手机出货量达2013.6万部，占总出货量达68.1%，智能手机市场经历疲软后将迎来一波换机热潮，以较快速度恢复增长。据悉，在全球第一波疫情之后，智能手机市场已经开始复苏，2020Q3出货量达3.66亿部，环比增长32%。

据DRAMeXchange专家分析，预计在疫情缓解的前提下21年出货量增幅可达9%。同时5G将带动一大批占据较大内存的新手机APP产生，加速5G手机容量增加需求，智能手机市场有望实现销量和容量“双量齐增”，大幅拉动DRAM搭载量增加。

此外，服务器市场出货量增加，同时伴随单机容量的迅速上升，有望带动DRAM需求回暖。数据流量快速增长带动AI-IoT、云计算等领域高速成长，新一代工作负载驱动市场升级，服务器千亿市场开始启动，有望成为DRAM高成长领域。据DRAMeXchange统计，2018年DRAM需求增提增长22.3%，其中服务器应用连续两年保持最快增速。

面对这样一个空间巨大但又被海外巨头垄断的市场，在迎来供给瓶颈、需求结构变革的关键时期，中国DRAM厂商如何加速国产化替代？

中国虽为DRAM最大市场，但高度依赖进口，国产替代具有很大空间。DRAM需求和产能动态变化存在时间落差问题，造成供需失配。预计2021年DRAM将步入行业景气周期，价格逐步趋稳，这个时间点非常适合国产替代切入市场。

目前，国内厂商在技术、产能方面投入巨大。兆易创新是国内存储器龙头，与合肥长鑫合作关系密切。2017年起，公司通过自研和合作研发的形式进军DRAM领域。2017年10月，与合肥产投签署了《关于存储器研发项目之合作协议》，与其全资子公司合肥长鑫将开展19nm制程工艺存储器（含DRAM等）的研发项目。2019年9月30日，兆易创新发布定增预案，称拟募集资金33.2亿元用于DRAM芯片自行研发及产业化项目，19年全年，兆易创新股价涨幅近230%；2020年6月4日，再次定增43.24亿元加速落地DRAM项目，截至12月21日，公司总市值达944亿元。

合肥长鑫目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产，是规模最大、技术最先进的中国大陆DRAM设计制造一体化企业。产能方面，该项目共有三期，第一期投资约为72亿美元，预计产能为12.5万片/月，约占全球内存芯片产能的10%。2020年第三季度产能达4万片/月，达到全球内存芯片产能的3%。据集邦咨询和国元证券共同预测，合肥长鑫将迎来快速增产的阶段，有望在2021年4季度增产至8.5万片/月。

不过，虽然国内DRAM厂商近年来进展显著，然而与国际巨头相比还是存在极大差距。技术上，从目前来看，长鑫目前处于1xnm阶段，与国际三大厂差2代的距离，预计到2021年长鑫进入1ynm（17nm），差距有所减小。

在产能方面，合肥长鑫的资本支出比较保守，明年同比减少了3成，仍然在做19nm的生产，目前产量在4.5万片/月，良率只有60%多，难及三星等国际巨头。

未来，受益于DRAM市场的景气度上升及国内厂商的技术和产能推进，中国DRAM有望实现中低端领域的持续国产替代。但同样需要注意的是，当年韩国厂商透过扩产、降价等方式，将当时如日中天的日本DRAM产业和在襁褓中的中国台湾DRAM扼杀在摇篮中，对于正处崛起的中国DRAM来说，如何避免陷入这种困境，是在提高产品质量和供应的同时还应考虑的一个问题。