速度提高一倍

{image=1}三星电子周四宣布了新一代存储芯片计划，其内存速度将在现有技术的基础上提高一倍，并提供迄今为止最大的容量，从而开启了一场将加速数据中心和超级计算发展的转型。作为全球最大存储芯片制造商，三星表示，已开发了512GB双倍数据速率5（DDR5）内存模块，基于传统上用于逻辑芯片的HKMG制造工艺。DDR5的内存速度将是目前DDR4的两倍，同时减少泄漏，并减少13%的功耗。

{image=1}三星电子周四宣布了新一代存储芯片计划，其内存速度将在现有技术的基础上提高一倍，并提供迄今为止最大的容量，从而开启了一场将加速数据中心和超级计算发展的转型。作为全球最大存储芯片制造商，三星表示，已开发了512GB双倍数据速率5（DDR5）内存模块，基于传统上用于逻辑芯片的HKMG制造工艺。DDR5的内存速度将是目前DDR4的两倍，同时减少泄漏，并减少13%的功耗。