中芯国际AH股双双重挫:第三代半导体板块崛起 龙头股连续两个涨停

周末的消息对周一盘面仍掀起不小波澜。

9月7日中午，中芯国际（688981）A股午间收于60.18元，下跌9.2%；港股方面，中芯国际（00981.HK）H股早盘持续走低，截止11点30分，股价下跌逾19%，华虹半导体（01347.HK）亦随之下跌，跌幅逾10%。

按照A股和港股市值来分开计算，今日半天时间，中芯国际AH股合计损失约355亿元。

{image=1}{image=2}不过，A股半导体板块指数并未跟随下行，早盘板块指数出现冲高，午盘则接近平盘，板块内个股出现分化，受我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划等消息提振，乾照光电、聚灿光电等第三代半导体概念股纷纷涨停；兆易创新、北方华创等个股则出现一定调整。

{image=3}第三代半导体概念股走势

中芯国际重挫 影响多大？

上周末一则外媒报道美国政府考虑将中芯国际列入贸易黑名单的消息一石激起千层浪。

9月5日晚间，中芯国际对此发表严正声明。声明指出：中芯国际作为一家同时在港交所及中国大陆A股上市的国际化运营的集成电路制造企业，公司严格遵守相关国家和地区的法律法规，并在此基础上一直合法依规经营；且与多个美国及国际知名的半导体设备供货商，建立多年良好的合作关系，美国商务部多年来针对中芯国际进口采购的设备，也已经核发多件重要的出口许可……

“因此，任何关于‘中芯国际涉军’的报道均为不实新闻，我们对此感到震惊和不解。中芯国际愿以诚恳、开放、透明的态度，与美国各相关政府部门沟通交流，以化解可能的歧见和误解。”中芯国际在申明中写道。

受上述消息及近日公司港股股东套现影响，截至11点30分，中芯国际A股午间收于60.18元，下跌9.2%；港股方面，截止11点30分，中芯国际H股股价下跌逾19%。

业内颇为关注的是，当前中芯国际对于国产芯片制造环节具有重要意义。倘若发生极端情况（被列入美国出口管制“实体名单”等），对中芯国际影响几何？

这在公司招股书中曾予以披露：未来，如果公司的重要原材料或者核心设备发生供应短缺、价格大幅上涨，或者供应商所处的国家和地区与中国发生贸易摩擦、外交冲突、战争等进而影响到相应原材料及设备的出口许可，且公司未能及时形成有效的替代方案，将会对公司生产经营及持续发展产生不利影响。

据证券时报·e公司记者了解，从行业现状看，集成电路晶圆代工行业对原材料和设备有较高要求，部分重要原材料及核心设备在全球范围内的合格供应商数量较少，大多来自中国境外；而美国基本主导半导体设备行业。从投资规模看，先进集成电路大规模生产线的投资可达100亿美元，75%以上是半导体设备投资，其中最关键、最大宗的设备是光刻机、等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等。

第三代半导体崛起

但危和机同生并存，克服了危即是机。

德勤在近期一篇研究报告中指出，贸易战和实体限制名单的制定将促使中国大力发展半导体行业。预计中国将加快实施半导体进口替代策略，从而推进非进口半导体需求上升，最终拉动国内投资增长。德勤亦指出，实现独立自主之路不会一路坦途，还需大量资本、人才和时间的投入才能迎头赶上。

{image=4}目前，国内厂商在光刻机（上海微电子）、刻蚀机（北方华创、中微公司）、薄膜沉积设备（中微公司）、离子注入设备（凯世通）、清洗机（芯源微电子、盛美半导体）、化学机械抛光机（华海清科）等主要半导体设备领域已有布局。

在半导体材料领域，上周末有关第三代半导体将写入“十四五规划”的消息亦引起广泛关注。据权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。

何为第三代半导体？按业内定义，第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于Si的宽禁带半导体材料，主要包括 SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度大于或等于2.3电子伏特，又被称为宽禁带半导体材料。其具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求。

从近日盘面来看，相关概念股表现不俗，其中，聚灿光电（300708）、乾照光电（300102）均已连续两天涨停，录得逾40%涨幅。联建光电（维权）、扬杰科技等个股亦表现不俗。半导体板块指数连续两天上涨。

华创证券近日发布研报指出，随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料、器件、模块和应用等环节的产业链，全球新一轮的产业升级已经开始。

首创证券认为，第三代半导体材料在禁带宽度、热导率、介电常数、电子漂移速度方面的特性使其适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路；其在禁带宽度方面的特性使其适合制作发光器件或光探测器等。国家战略新兴产业政策中多次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件，随着国内多家企业开始重视该领域，积极布局相关项目，我国的第三代半导体材料及器件有望实现较快发展。