上海临港新片区：推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设

界面新闻2021-03-03 17:47:411阅

原标题：上海临港新片区：推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设

上海临港新片区发布集成电路产业专项规划（2021-2025）。规划提出，积极对接引进国内最先进工艺线放大项目，推进磁存储器（MRAM）、3DNAND、半浮栅等新型存储项目落地，提升新片区芯片制造产业能级，夯实产业基础。打造国内特色工艺生产高地，坚持市场需求与技术开发相结合，推动BCD、IGBT、CIS、MEMs等特色工艺研发与产业化，支持细分领域IDM项目建设。推动化合物半导体产业实现由国内引领向国际领先跨越。推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设，面向5G、新能源汽车等应用场景，加快化合物半导体产品验证应用。