中信建投：GaN行业5G、快充、UVC第三代半导体潮起

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来源 中信建投

射频GaN在5G基站和军用雷达的应用中独具优势

GaN射频器件具有高频、高功率、宽带宽、低功耗、小尺寸的特点，能在5G时代节省宝贵的PCB空间，并达到良好的功耗控制。GaNon-Si有望挑战BTS和RF功率市场中现有的LDMOS解决方案。到2024年GaN射频市场空间可达20亿美元，CAGR达21%，主要由军用雷达和无线基础设施市场拉动。全球市场主要由以Cree和住友电工为代表的美日企业统治，国内厂商如三安光电、海特高新、华进创威在GaN RF HEMT领域有一定实力。

快充、汽车电子、消费电子推动功率GaN放量

GaN在电源管理、发电和功率输出方面具有明显的技术优势。在600伏特左右电压下，其在芯片面积、电路效率和开关频率方面明显优于硅，这使电源产品更为轻薄、高效。并且，GaN充电器体积小、功率高、支持PD协议，有望在未来统一笔电和手机的充电器市场，市场前景广阔。预计2024年GaN电源市场将超过3.5亿美元，CAGR达85%，GaN快充是主要推动力量。全球市场由Infineon、EPC、GaN Systems、Transphorm和Navitas等公司主导，产品主要由TSMC，Episil、X-FAB代工。国内新兴代工厂中，三安光电和海特高新具有量产GaN功率器件的能力。

疫情中短期内刺激光电市场，基于GaN的深紫外UVC需求高涨

GaN因其材料的高频特性是制备紫外光器件的良好材料，GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值。疫情期间，中美都已启用基于GaN的UVC进行消毒杀菌。2018年全球UVLED市场规模达2.99亿美金，预计到2023年市场规模将达9.91亿美金，2018-2023年复合增长率达到27%。目前市场上高端的深紫外LED产品仍以日本、韩国厂商为主，国内有布局深紫外芯片-封装模组产业链的青岛杰生（圆融光电），深紫外LED芯片的三安光电、湖北深紫、中科潞安、华灿光电、鸿利秉一，以及高性能紫外传感芯片的镓敏光电。

投资建议

我们认为，5G对高功率射频的需求，手机和笔电对高效轻小快充的需求将在2020-2021年爆发，疫情对深紫外UVC的需求将在2020年短期内集中爆发。中长期来看，三类需求面对的都是GaN器件的蓝海市场，具有可观的增长空间。我们建议关注三安光电、海特高新、闻泰科技、华灿光电、士兰微等。

风险提示

技术创新进度缓慢、市场推广不及预期、消费市场需求疲软。

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责任编辑：王涵