全球“芯荒”下的氮化镓功率芯片

专访纳微半导体查莹杰：全球“芯荒”下的氮化镓功率芯片第三代宽禁带半导体材料氮化镓耐热性好，因具有高电子迁移率，可提高晶体管的开关转换速度，适用于高频率、大功率电路中，氮化镓的高频特性可带来整体功率密度提升，目前氮化镓功率芯片已进入消费电子快充市场。在全球“芯荒”之下，氮化镓芯片是否受到影响？氮化镓芯片的机遇在哪？设计、量产等方面还存在哪些挑战？