半导体扩产竞赛火热化 又一大厂砸170亿美元扩产

半导体扩产竞赛火热化 又一大厂砸170亿美元扩产

作者： 来莎莎

[ 存储巨头美光科技宣布，将于未来十年内，在存储器制造和研发上投入超过1500亿美元。 ]

全球半导体代工厂你追我赶，扩产“军备竞赛”进一步火热化。继台积电之后，全球半导体龙头三星电子也将在美国扩产。

11月24日，三星电子正式宣布，将在得克萨斯州泰勒市新建一半导体制造工厂，投资规模高达170亿美元。

芯片制造业加大投资

三星电子表示，170亿美元的投资包括场地、物业改善、机器设备，该厂将成为三星在美国有史以来最大的投资，也将使三星在美国的总投资超过470亿美元。

新厂将于2022年上半年破土动工，目标是在2024年下半年投入运营。泰勒工厂占地超过 500万平方米，预计将和韩国平泽市的最新生产线一起，成为三星半导体制造能力的关键产地。

新工厂将生产基于先进工艺技术的产品，应用于移动、5G、高性能计算 （HPC） 和人工智能等领域。

台积电和三星除了在制造工艺上竞争激烈，两者也在加大全球各地的布局。目前，全球各地政府为了保障供应链安全，要求晶圆厂增加本土制造，美国更是出台相关法案，将释放 540亿美元用于激励在美国进行半导体生产和研究。

就在2020年，台积电宣布，计划斥资120亿美元在美国亚利桑那州建造一座5纳米芯片工厂。首批美国雇佣的工程师在今年4月下旬已经抵达中国台湾，接受5纳米技术培训。

台积电预计，美国工厂的半导体设备将在2022年下半年进厂，5纳米一期月产2万片晶圆的项目将于2024年开始量产。

台积电董事长刘德音在中期业绩上表示。

不过，据第一财经了解，台积电的美国工厂进展并不算顺利。有台积电员工告诉第一财经，美国工程师并不能接受台积电的高强度工作节奏，而且美国建厂的成本太高。

有多名美国工程师在美国一家人力资源网站上，对台积电的评价是“工作时间太长”“压力太大”。

“军备竞赛”火热化

今年以来，在持续的“缺芯”形势下，晶圆厂扩产持续火热化。

11月12日，中芯国际公告称，中芯控股、国家集成电路基金二期（下称“国家大基金二期”）和海临微订立临港合资协议，共同成立临港合资公司，总投资额为88.66亿美元。

10月21日，存储巨头美光科技宣布，将于未来十年内，在存储器制造和研发上投入超过1500亿美元，以满足2030年对存储的需求。

台积电也在10月14日正式宣布，将赴日本设立晶圆制造厂，预计2022年开始建厂，2024年开始投产。该厂初步规划以22/28纳米特殊工艺为主。值得注意的是，该项资本开支不包含在此前宣布的1000亿美金之内。

台积电此前宣布三年投1000亿美元；台联电公布1000亿新台币（约合35.8亿美元）投资案，扩充在南科的12英寸厂；三星电子将在2030年前增加对System LSI和Foundry业务领域的投资，投资总额扩大至171万亿韩元（约1516亿美元），以加快先进半导体工艺技术的研究和新生产设施的建设；英特尔宣布多项扩产计划，一方面拟在美国亚利桑那州投资约200亿美元新建两座晶圆厂，另一方面希望成为晶圆代工的主要提供商。

而全球第四大晶圆代工厂也趁“缺芯”顺利IPO。10月28日，格芯在纳斯达克证券交易所上市，其首次公开募股筹集了近26亿美元。这是2021年美国最大的首次公开募股募集资金，也是历史上最大的半导体IPO。

格芯CEO汤姆·考菲尔德（Tom Caulfield）在接受媒体采访时表示，现在的产能利用率已经超100%，公司的晶圆产能到2023年底都已售罄。

根据格芯的规划，未来两年将投入60亿美元，用于扩大其在新加坡、德国和美国工厂的产能。其中，新加坡投资超过40亿美元，德国和美国各投资10亿美元。

责任编辑：王茂桦